渴望固态硬盘带来的高速快感？三星终于放了大招

作为世界一大固态硬盘制造商，三星将要在接下来的新品更新期中放大招了。

根据 Engadget 的报道 ，三星计划在旗下的 SSD 新产品中用上 3-Bit MLC 以及与 TLC V-NAND 一样为人所熟知的 3D 垂直 V-NAND 闪存技术。

在此之前，三星的 V-NAND 技术已经能够量产并且应用到自家的旗舰系列 850 Pro 固态硬盘上，同时这种技术也号称有着十年的生命期。

而今天谈到的 3bit V-NAND 闪存，利用三星独有的 3D 电荷捕获型栅极存储单元结构技术，每片闪存芯片由 32 层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达 128GB ，

并且这种技术在最近推出的 850 EVO 已经开始投入量产了，

相信今后出现更大容量、价格更实惠的固态硬盘将不再是无止境的等待。

对于渴望固态硬盘带来的高速快感，但是却因容量需求和价格被迫选择老式硬盘的用户，这必定是一个好消息。

题图来自： Techspot

插图来自： cnet ， Amazon

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